BUV22

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-204-2

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

250 V

Colector- Voltaje base VCBO:

300 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.5 V

Corriente máxima del colector de CC:

40 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

8 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

8.51 mm (Max)

Longitud:

38.86 mm

Embalaje:

Bandeja

Ancho:

26.67 mm (Max)

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

40 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

20

Pd - Disipación de energía:

250 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

100

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

BUV2, BUV