IXFT340N075T2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-268-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

75 V

Id - Corriente de drenaje continua:

340 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

300 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

935 W

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

5.1 mm

Longitud:

16.05 mm

Serie:

IXFT340N075

Escribe:

TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

Ancho:

14 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

65 S

Otoño:

35 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

50 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

60 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

26 ns

Unidad de peso:

0.229281 oz

Tags

IXFT3, IXFT, IXF