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TK560P60Y,RQ

TK560P60Y,RQ
Mfr. #:
TK560P60Y,RQ
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TK560P60Y,RQ Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK560P60Y,RQ DatasheetTK560P60Y,RQ Datasheet (P4-P6)TK560P60Y,RQ Datasheet (P7-P9)TK560P60Y,RQ Datasheet (P10)
ECAD Model:
Más información:
TK560P60Y,RQ más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
DPAK-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
600 V
Id - Corriente de drenaje continua:
7 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
430 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
3 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
30 V
Qg - Carga de puerta:
14.5 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
-
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
60 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
DTMOSV
Embalaje:
Carrete
Serie:
TK560P60Y
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Marca:
Toshiba
Otoño:
8 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
20 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
2000
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
105 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
50 ns
Tags
TK560P60, TK560P, TK560, TK56, TK5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
***et
Power MOSFET N-Channel 600V 7A 3-Pin DPAK T/R
DTMOS V Super Junction MOSFETs
Toshiba DTMOS V Super Junction MOSFETs are the next generation of N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOS V operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On Resistance RDS(ON) compared to the DTMOS IV MOSFETs. The DTMOS V has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOS V Super Junction MOSFETs are ideal to improve the performance, and facilitate the design of power conversion applications. Applications that include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting. Learn More
Imagen Parte # Descripción
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Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1986
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
1,54 US$
1,54 US$
10
1,23 US$
12,30 US$
100
1,08 US$
108,00 US$
500
0,84 US$
418,50 US$
1000
0,66 US$
661,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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