SQJB40EP-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAK-SO-8L-4

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

30 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.3 mOhms, 6.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

35 nC, 35 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

34 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.04 mm

Longitud:

6.15 mm

Serie:

SQ

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5.13 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

48 S, 48 S

Otoño:

15 ns, 15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns, 20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18 ns, 18 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 7 ns

Unidad de peso:

0.017870 oz

Tags

SQJB4, SQJB, SQJ