BSS670S2LH6327XT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

55 V

Id - Corriente de drenaje continua:

540 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

650 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

1.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

360 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

BSS670S2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

600 mS

Otoño:

24 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

21 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Parte # Alias:

BSS670S2LH6327XTSA1 SP000928950

Unidad de peso:

0.000282 oz

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BSS670S2LH6327X, BSS670S2LH63, BSS670S2LH, BSS670, BSS67, BSS6, BSS