BSZ15DC02KDHXTMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PG-TSDSON-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.1 A, 3.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

55 mOhms, 150 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV, 1.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

2.1 nC, - 3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3.3 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

5.5 S, 3.4 S

Otoño:

1.4 ns, 4.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2 ns, 3.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12.2 ns, 11.3 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.9 ns, 7.4 ns

Parte # Alias:

BSZ15DC02KD H SP000961028

Unidad de peso:

0.001129 oz

Tags

BSZ15DC02KDH, BSZ15D, BSZ15, BSZ1, BSZ