RS1E280BNTB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HSOP-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

94 nC

Pd - Disipación de energía:

30 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

3.2 mm

Tipo de transistor:

1 N-channel

Ancho:

3 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

28 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

100 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

160 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

31 ns

Parte # Alias:

RS1E280BN

Tags

RS1E280B, RS1E280, RS1E28, RS1E2, RS1E, RS1