FDME1024NZT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UMLP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

55 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

700 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.3 W

Configuración:

Doble

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.55 mm

Longitud:

1.6 mm

Serie:

FDME1024NZT

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.6 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

9 S

Otoño:

1.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.5 ns

Unidad de peso:

0.000889 oz

Tags

FDME102, FDME1, FDME, FDM