IXTP1N100P

IXTP1N100P
Mfr. #:
IXTP1N100P
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXTP1N100P Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
Serie
IXTP1N100
embalaje
Tubo
Unidad de peso
0.081130 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Paquete-Estuche
TO-220-3
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
50 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
24 ns
Hora de levantarse
26 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
1.2 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1000 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
13 Ohms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
55 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
20 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
IXTP1N10, IXTP1N1, IXTP1N, IXTP1, IXTP, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Japan
Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
***trelec
MOSFET [Ixys] IXTP1N100P MOSFET
***ark
MOSFET, N, TO-220; Transistor type:Standard; Voltage, Vds typ:1000V; Current, Id cont:1A; Resistance, Rds on:13R; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:4.5V; Case style:TO-220 (SOT-78B); Capacitance, Ciss RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:Standard; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:1000V; Current, Id Cont:1A; Resistance, Rds On:13ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.5V; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Termination Type:Through Hole; N-channel Gate Charge:18nC; No. of Pins:3; Power, Pd:70W; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.75°C/W; Typ Capacitance Ciss:380pF; Voltage, Vds Max:1000V; Time, trr Max:800ns
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXTP1N100P
DISTI # IXTP1N100P-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
RoHS: Compliant
Min Qty: 50
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 50:$1.7326
IXTP1N100P
DISTI # 747-IXTP1N100P
IXYS CorporationMOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
RoHS: Compliant
13
  • 1:$2.2400
  • 10:$2.0300
  • 25:$1.7700
  • 50:$1.6500
  • 100:$1.6300
  • 250:$1.3200
  • 500:$1.2700
  • 1000:$1.0500
  • 2500:$0.8820
Imagen Parte # Descripción
IXTP140N12T2

Mfr.#: IXTP140N12T2

OMO.#: OMO-IXTP140N12T2

Discrete Semiconductor Modules DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-220AB/FP
IXTP120P065T

Mfr.#: IXTP120P065T

OMO.#: OMO-IXTP120P065T

MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds
IXTP15N50L2

Mfr.#: IXTP15N50L2

OMO.#: OMO-IXTP15N50L2

MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
IXTP130N15X4

Mfr.#: IXTP130N15X4

OMO.#: OMO-IXTP130N15X4

MOSFET DISCMSFT NCH HIPERFET-QCLASS
IXTP130N10T

Mfr.#: IXTP130N10T

OMO.#: OMO-IXTP130N10T

MOSFET MOSFET Id130 BVdass100
IXTP1N100

Mfr.#: IXTP1N100

OMO.#: OMO-IXTP1N100

MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
IXTP180N085T

Mfr.#: IXTP180N085T

OMO.#: OMO-IXTP180N085T-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 85V 180A TO-220
IXTP1R4N120P

Mfr.#: IXTP1R4N120P

OMO.#: OMO-IXTP1R4N120P-IXYS-CORPORATION

MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds
IXTP160N04T2

Mfr.#: IXTP160N04T2

OMO.#: OMO-IXTP160N04T2-IXYS-CORPORATION

MOSFET 160 Amps 40V
IXTP1N100P

Mfr.#: IXTP1N100P

OMO.#: OMO-IXTP1N100P-IXYS-CORPORATION

MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
5000
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
1,32 US$
1,32 US$
10
1,26 US$
12,57 US$
100
1,19 US$
119,07 US$
500
1,12 US$
562,30 US$
1000
1,06 US$
1 058,40 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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