BSF030NE2LQ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WDSON-2-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

75 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

23 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

28 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.7 mm

Longitud:

6.35 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.05 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

55 S

Otoño:

2.6 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.8 ns

Parte # Alias:

BSF030NE2LQXUMA1 BSF3NE2LQXT SP000756348

Tags

BSF03, BSF0, BSF