STB3N62K3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

620 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.5 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

45 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.6 mm

Longitud:

10.4 mm

Serie:

STB3N62K3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.35 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

15.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

STB3N, STB3, STB