SSM3J338R,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23F-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

45.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

300 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

1.8 V

Qg - Carga de puerta:

19.5 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

SSM3J338

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

17 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

383 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

65 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

SSM3J338, SSM3J33, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM