MMFT960T1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

300 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.7 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

800 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.57 mm

Longitud:

6.5 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3.5 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

0.6 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.008818 oz

Tags

MMFT960T, MMFT96, MMFT9, MMFT, MMF