NTMFS4837NHT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-FL-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

26 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

5.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.05 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

NTMFS4837NH

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.8 mm

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

7.1 ns, 4.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

27.5 ns, 19.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18.3 ns, 28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15.2 ns, 9 ns

Tags

NTMFS4837, NTMFS483, NTMFS48, NTMFS4, NTMFS, NTMF, NTM