ZXMP10A17GQTA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

450 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

10.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.9 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Serie:

ZXMP10A

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

2.8 S

Otoño:

7.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3 ns

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

ZXMP10A17G, ZXMP10A17, ZXMP10A1, ZXMP1, ZXMP, ZXM