SI6562CDQ-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSSOP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.7 A, 6.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

22 mOhms, 30 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

15 nC, 34 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.6 W, 1.7 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SI6

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

17 S, 22 S

Otoño:

10 ns, 15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns, 25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns, 45 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns, 30 ns

Parte # Alias:

SI6562CDQ-GE3

Unidad de peso:

0.005573 oz

Tags

SI6562CDQ-T, SI6562CDQ, SI6562C, SI656, SI65, SI6