IPB80N04S2H4ATMA2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

103 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

300 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

-

Otoño:

22 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

63 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

46 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

23 ns

Parte # Alias:

IPB80N04S2-H4 SP001058130

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IPB80N04S2H, IPB80N04S2, IPB80N04, IPB80N0, IPB80N, IPB8, IPB