ZXMC10A816N8TC

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.1 A, 2.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

230 mOhms, 235 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.7 V, 2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

9.2 nC, 16.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.8 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.5 mm

Longitud:

4.95 mm

Serie:

ZXMC10A8

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

3.95 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

4.8 S, 4.7 S

Otoño:

5 ns, 12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.1 ns, 5.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12.1 ns, 20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.9 ns, 4.3 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

ZXMC10A816N, ZXMC1, ZXMC, ZXM