IXFN420N10T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Paquete / Caja:

SOT-227-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

420 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

670 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1070 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Producto:

GigaMOS HiPerFET

Serie:

IXFN420N10

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

GigaMos Trench HiperFet Power MOSFET

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

110 S

Otoño:

255 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

155 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

115 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

47 ns

Unidad de peso:

1.058219 oz

Tags

IXFN4, IXFN, IXF