HN1B04FU-Y,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Polaridad del transistor:

NPN, PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

60 V, - 50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.1 V

Corriente máxima del colector de CC:

150 mA

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

150 MHz, 120 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 125 C

Serie:

HN1B04FU

Ganancia de corriente CC hFE Max:

400

Embalaje:

Carrete

Marca:

Toshiba

Corriente continua del colector:

150 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000240 oz

Tags

HN1B04FU-Y, HN1B04FU, HN1B04, HN1B0, HN1B, HN1