2SD2012

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220F-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.4 V

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

3 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2SD2012

Ganancia de corriente CC hFE Max:

320

Altura:

9.39 mm (Max)

Longitud:

10.36 mm (Max)

Embalaje:

Tubo

Ancho:

4.9 mm (Max)

Marca:

STMicroelectronics

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

20

Pd - Disipación de energía:

25 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.127339 oz

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2SD2012, 2SD201, 2SD20, 2SD2, 2SD