TSM1N45DCS RLG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

450 V

Id - Corriente de drenaje continua:

500 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

6.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

900 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Otoño:

36 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

23 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.5 ns

Tags

TSM1N45D, TSM1N4, TSM1N, TSM1, TSM