BSC900N20NS3 G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PG-TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

62.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

8 S

Otoño:

3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Parte # Alias:

BSC900N20NS3GATMA1 BSC9N2NS3GXT SP000781780

Unidad de peso:

0.003527 oz

Tags

BSC90, BSC9, BSC