AUIRFN8458TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

43 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

10 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.9 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

22 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

34 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.2 mm

Longitud:

6 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

56 S

Otoño:

19 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

71 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

11 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.7 ns

Parte # Alias:

SP001522712

Tags

AUIRFN845, AUIRFN8, AUIRFN, AUIRF, AUIR, AUI