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TGF2977-SM

TGF2977-SM
Mfr. #:
TGF2977-SM
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF JFET Transistors 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TGF2977-SM Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TGF2977-SM más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN SiC
Ganar:
13 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
32 V
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:
- 2.7 V
Id - Corriente de drenaje continua:
326 mA
Potencia de salida:
6 W
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 225 C
Pd - Disipación de energía:
8.4 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
QFN-16
Embalaje:
Bandeja
Configuración:
Único
Altura:
0.203 mm
Longitud:
3 mm
Frecuencia de operación:
DC to 12 GHz
Escribe:
GaN SiC HEMT
Ancho:
3 mm
Marca:
Qorvo
Número de canales:
1 Channel
Kit de desarrollo:
TGF2977-SMEVB1
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
Transistores
Parte # Alias:
1127257
Unidad de peso:
0.002014 oz
Tags
TGF297, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC - 12 GHz, 5 W, 13 dB, 32V, GaN, Plastic QFN
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
TGF297x GaN RF Transistor
Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz. The TGF2970 transistors offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operation. Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TGF2977-SM
DISTI # 772-TGF2977-SM		QorvoRF JFET Transistors 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
RoHS: Compliant		266
  • 1:$24.1500
  • 25:$20.8900
  • 100:$18.0700
  • 250:$16.8000
  • 500:$15.6200
TGF2977-SM-EVB
DISTI # 772-TGF2977-SM-EVB		QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant		0
  • 1:$875.0000
Imagen Parte # Descripción
GRF2013

Mfr.#: GRF2013

OMO.#: OMO-GRF2013

 RF Amplifier .05-8GHz NF 1.3dB Gain 18.5dB
VEC2315-TL-H

Mfr.#: VEC2315-TL-H

OMO.#: OMO-VEC2315-TL-H

 MOSFET PCH+PCH 4V DRIVE SERIES
TPS62172DSGR

Mfr.#: TPS62172DSGR

OMO.#: OMO-TPS62172DSGR

 Switching Voltage Regulators 3-17V 0.5A 2.5MHZ SD Converter
ST8R00WPUR

Mfr.#: ST8R00WPUR

OMO.#: OMO-ST8R00WPUR

 Switching Voltage Regulators MicroPwr 1A DC DC converter sync
LT3045EMSE#PBF

Mfr.#: LT3045EMSE#PBF

OMO.#: OMO-LT3045EMSE-PBF

 LDO Voltage Regulators 20V, 500mA, Ultralow Noise, Ultrahigh PSRR Linear Regulator
TPS7A8801RTJR

Mfr.#: TPS7A8801RTJR

OMO.#: OMO-TPS7A8801RTJR

 LDO Voltage Regulators Dual 1A LDO
GRF2013

Mfr.#: GRF2013

OMO.#: OMO-GRF2013-1152

 RF Amplifier .05-8GHz NF 1.3dB Gain 18.5dB
TPS7A8801RTJR

Mfr.#: TPS7A8801RTJR

OMO.#: OMO-TPS7A8801RTJR-TEXAS-INSTRUMENTS

 LDO Voltage Regulators Dual 1A LDO
C3216JB1V226M160AC

Mfr.#: C3216JB1V226M160AC

OMO.#: OMO-C3216JB1V226M160AC-TDK

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1206 22uF 35volts JB 20%
TPS62172DSGR

Mfr.#: TPS62172DSGR

OMO.#: OMO-TPS62172DSGR-TEXAS-INSTRUMENTS

 Voltage Regulators - Switching Regulators 3-17V 0.5A 2.5MHZ SD Converte
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Valores:
263
En orden:
2246
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El precio actual de TGF2977-SM es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
24,15 US$
24,15 US$
25
20,89 US$
522,25 US$
100
18,07 US$
1 807,00 US$
250
16,80 US$
4 200,00 US$
500
15,62 US$
7 810,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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