2N5962

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

45 V

Colector- Voltaje base VCBO:

45 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

8 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.2 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.05 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2N5961

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.21 mm

Embalaje:

A granel

Ancho:

4.19 mm

Marca:

Semiconductor central

Corriente continua del colector:

0.1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

450

Pd - Disipación de energía:

625 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N5962 PBFREE

Unidad de peso:

0.016000 oz

Tags

2N5962, 2N596, 2N59, 2N5