FDC6332L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SSOT-6

Número de canales:

3 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.8 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

350 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

1.8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

700 mW

Configuración:

Triple

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

3 P-Channel

Ancho:

1.6 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

FDC6332L_NL

Unidad de peso:

0.001270 oz

Tags

FDC6332L, FDC6332, FDC633, FDC63, FDC6, FDC