NTD23N03RT4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

23 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

32 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

22.3 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.73 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

6.22 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

13 S

Otoño:

2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

NTD23N03R, NTD23, NTD2, NTD