FCMT299N60

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-88-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

299 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

39 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

SuperFET II

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

8 mm

Serie:

FCMT299N60

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

8 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

12 S

Otoño:

7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

51 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

19 ns

Unidad de peso:

0.015839 oz

Tags

FCMT, FCM