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RN1105MFV(TPL3)

RN1105MFV(TPL3)
Mfr. #:
RN1105MFV(TPL3)
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
RN1105MFV(TPL3) Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
Transistores bipolares - Pre-polarizados
RoHS:
N
Configuración:
Único
Polaridad del transistor:
NPN
Resistencia de entrada típica:
2.2 kOhms
Relación de resistencia típica:
0.047
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Colector de CC / Ganancia base hfe Min:
80
Voltaje colector-emisor VCEO Max:
50 V
Corriente continua del colector:
100 mA
Corriente máxima del colector de CC:
100 mA
Pd - Disipación de energía:
150 mW
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Serie:
RN1105
Embalaje:
Carrete
Ganancia de corriente CC hFE Max:
80
Marca:
Toshiba
Tipo de producto:
BJTs - Transistores bipolares - Pre-polarizados
Cantidad de paquete de fábrica:
8000
Subcategoría:
Transistores
Tags
RN1105M, RN1105, RN110, RN11, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
*** Americas
Transistor 50V/100mA
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
RN1105MFV(TPL3)
DISTI # 757-RN1105MFV(TPL3)		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
RoHS: Not compliant		0
    RN1105MFV(TPL3)
    DISTI # 580060    		Toshiba America Electronic ComponentsTR.+VIASRES. NPN VCEO=50V IC=150MA VESM, PK150
    • 50:£0.0540
    • 200:£0.0320
    • 500:£0.0290
    • 1000:£0.0280
    • 2000:£0.0280
    Imagen Parte # Descripción
    RN1105MFV,L3F

    Mfr.#: RN1105MFV,L3F

    OMO.#: OMO-RN1105MFV-L3F

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased VESM PLN TRANSISTOR Pd 150mW F 1MHz
    RN1105MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1105MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1105MFV-TPL3-

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
    RN1105MFV,L3F

    Mfr.#: RN1105MFV,L3F

    OMO.#: OMO-RN1105MFV-L3F-TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased VESM PLN TRANSISTOR Pd 150mW F 1MHz
    RN1105MFV,L3FCT-ND

    Mfr.#: RN1105MFV,L3FCT-ND

    OMO.#: OMO-RN1105MFV-L3FCT-ND-1190

    		 Nuevo y original
    RN1105MFV,L3FDKR-ND

    Mfr.#: RN1105MFV,L3FDKR-ND

    OMO.#: OMO-RN1105MFV-L3FDKR-ND-1190

    		 Nuevo y original
    RN1105MFV,L3FTR-ND

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    		 Nuevo y original
    RN1105MFV

    Mfr.#: RN1105MFV

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    		 Nuevo y original
    RN1105MFV,L3F(T

    Mfr.#: RN1105MFV,L3F(T

    OMO.#: OMO-RN1105MFV-L3F-T-1190

    		 Nuevo y original
    RN1105MFVL3F

    Mfr.#: RN1105MFVL3F

    OMO.#: OMO-RN1105MFVL3F-1190

    		 Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin VESM Embossed T/R - Tape and Reel (Alt: RN1105MFV,L3F)
    RN1105MFVL3F(T

    Mfr.#: RN1105MFVL3F(T

    OMO.#: OMO-RN1105MFVL3F-T-1190

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    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    5500
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