IRFR430APBF

Mfr. #:: IRFR430APBF
Fabricante:: Vishay
Descripción:: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Ciclo vital:: Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:: IRFR430APBF Ficha de datos
Entrega:: DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
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Atributo del producto
Valor de atributo

Fabricante: IR

categoria de producto: FET - Single

embalaje: Tubo

Unidad de peso: 0.050717 oz

Estilo de montaje: SMD / SMT

Paquete-Estuche: TO-252-3

Tecnología: Si

Número de canales: 1 Channel

Configuración: Único

Tipo transistor: 1 N-Channel

Disipación de potencia Pd: 110 W

Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C

Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C

Otoño: 16 ns

Hora de levantarse: 27 ns

Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje: 30 V

Id-corriente-de-drenaje-continua: 5 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: 500 V

Resistencia a la fuente de desagüe de Rds: 1.7 Ohms

Polaridad del transistor: Canal N

Tiempo de retardo de apagado típico: 17 ns

Tiempo de retardo de encendido típico: 8.7 ns

Modo de canal: Mejora

Tags: IRFR430A, IRFR430, IRFR43, IRFR4, IRFR, IRF

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IRFR430APBF Descripción

***ure Electronics: IRFR430A Series 500 V 5 A Surface Mount Power Mosfet - DPAK (TO-252)

***p One Stop Global: Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

***: N-CH 500V HEXFET MOSFET D-PAK

***i-Key: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

***Components: N channel ;VBRDSS 500 V; RDSon 1700 mO

***ark: MOSFET N-CHANNEL 500V

***ied Electronics & Automation: TRANSITOR, IRFR430APBF

***ment14 APAC: Prices include import duty and tax. MOSFET, N, 500V, 5A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:5A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.1°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:1.7kohm; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pulse Current Idm:20A; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

***nell: MOSFET, N, 500V, 5A, D-PAK; Biegunowość tranzystora:Kanał N; Prąd ciągły Id drenu:5A; Napięcie drenu / źródła Vds:500V; Rezystancja przewodzenia Rds(on):1.7ohm; Napięcie Vgs pomiaru Rds(on):10V; Napięcie progowe Vgs:4.5V; Straty mocy Pd:110W; Rodzaj obudowy tranzystora:TO-252; Liczba pinów:3piny/-ów; Temperatura robocza, maks.:150°C; Asortyment produktów:-; Kwalifikacja motoryzacyjna:-; Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL:MSL 1 - nieograniczone; Maks. prąd Id:5A; Napięcie Vds, typ.:500V; Napięcie Vgs pomiaru Rds on:10V; Napięcie Vgs, maks.:30V; Prąd impulsowy Idm:20A; Rezystancja termiczna złącze - obudowa A:1.1°C/W; Rezystancja w stanie włączenia przy Vgs = 10V:1.7kohm; Temperatura robocza, min.:-55°C; Typ obudowy alternatywnej:D-PAK; Zakres temperatury roboczej:-55°C do +150°C

Market price

Parte #	Mfg.	Descripción	Valores	Precio
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IRFR430APBF DISTI # C1S803600787599	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK RoHS: Compliant	94	10:$1.3365
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IRFR430APBF DISTI # 1704012	Infineon Technologies AG	MOSFET TRANSISTOR N CH RoHS: Compliant	442	1:$3.0300 10:$2.5200 100:$1.9500 500:$1.7200 1000:$1.4100 3000:$1.3200 6000:$1.2800 9000:$1.2200
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Disponibilidad

Valores:: Available
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Precio unitario
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1: ~~0,32 US$~~; ~~0,32 US$~~

10: ~~0,31 US$~~; ~~3,08 US$~~

100: ~~0,29 US$~~; ~~29,13 US$~~

500: ~~0,28 US$~~; ~~137,55 US$~~

1000: ~~0,26 US$~~; ~~259,00 US$~~

Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.

Empezar con

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