APTGTQ200SK65T3G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Módulos IGBT

Tecnología:

-

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

650 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.65 V

Corriente continua del colector a 25 C:

200 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

480 nA

Pd - Disipación de energía:

483 W

Paquete / Caja:

SP3F

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 125 C

Embalaje:

Tubo

Marca:

Microchip / Microsemi

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

IGBT

Unidad de peso:

3.880136 oz

Tags

APTGTQ2, APTGTQ, APTGT, APTG, APT