DTD123TSTP

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - Pre-polarizados

RoHS:

Y

Configuración:

Único

Polaridad del transistor:

NPN

Resistencia de entrada típica:

2.2 kOhms

Relación de resistencia típica:

-

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

SPT-3

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

100

Frecuencia máxima de funcionamiento:

200 MHz

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Corriente continua del colector:

500 mA

Corriente máxima del colector de CC:

500 mA

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Carrete

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Marca:

Semiconductor ROHM

Modo de canal:

Mejora

Corriente máxima del colector de CC:

500 mA

Tipo de producto:

BJTs - Transistores bipolares - Pre-polarizados

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

Transistores

Tags

DTD123T, DTD123, DTD12, DTD1, DTD