STR2P3LLH6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

56 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

350 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

STripFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.4 mm

Longitud:

3.04 mm

Serie:

STR2P3LLH6

Tipo de transistor:

1 P-Channel Power MOSFET

Ancho:

1.75 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

3.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.4 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

STR2, STR