BSD235NH6327XTSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

950 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

266 mOhms, 266 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

700 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

320 pC, 320 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

2 S, 2 S

Otoño:

1.2 ns, 1.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.6 ns, 3.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

4.5 ns, 4.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.8 ns, 3.8 ns

Parte # Alias:

BSD235N H6327 SP000917652

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

BSD235NH, BSD235N, BSD23, BSD2, BSD