IRF6710S2TR1PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DirectFET-S1

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

37 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

8.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

15 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.74 mm

Longitud:

4.85 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

DirectFET Power MOSFET

Ancho:

3.95 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

21 S

Otoño:

6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

5.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.9 ns

Parte # Alias:

SP001530274

Unidad de peso:

0.003527 oz

Tags

IRF6710, IRF671, IRF67, IRF6, IRF