NTR2101PT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

8 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

120 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

1.8 V

Qg - Carga de puerta:

12 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

960 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.94 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTR2101P

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.3 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

9 S

Otoño:

31 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15.75 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

38 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.4 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

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