ZXMN2F34MATA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN322-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

60 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

6.6 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.95 mm

Longitud:

2.1 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

2.1 mm

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

5.1 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.65 ns

Unidad de peso:

0.000317 oz

Tags

ZXMN2F34, ZXMN2F, ZXMN2, ZXMN, ZXM