NTTD1P02R2G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Micro-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.45 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

160 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.95 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

2.5 S

Otoño:

20 ns, 30 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns, 30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Tags

NTTD1, NTTD, NTT