IXBF55N300

IXBF55N300
Mfr. #:
IXBF55N300
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
Bipolar Transistors - BJT High Voltage High Gain BIMOSFET
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXBF55N300 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
IGBTs - Single
Estilo de montaje
A través del orificio
Nombre comercial
BIMOSFET
Paquete-Estuche
ISOPLUS i4-PAK-3
Tecnología
Si
Configuración
Único
Disipación de potencia Pd
357 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Colector-Emisor-Voltaje-VCEO-Max
3 kV
Colector-Emisor-Saturación-Voltaje
2.7 V
Corriente-de-colector-continuo-a-25-C
86 A
Puerta-Emisor-Fuga-Corriente
+/- 200 nA
Voltaje máximo del emisor de puerta
+/- 25 V
Tags
IXBF, IXB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXBF55N300
DISTI # 747-IXBF55N300
IXYS CorporationIGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET
RoHS: Compliant
0
  • 1:$80.9100
  • 5:$79.9700
  • 10:$76.1600
  • 25:$71.4000
  • 50:$69.0200
  • 100:$66.6400
Imagen Parte # Descripción
IXBF55N300

Mfr.#: IXBF55N300

OMO.#: OMO-IXBF55N300

IGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET
IXBF50N360

Mfr.#: IXBF50N360

OMO.#: OMO-IXBF50N360

IGBT Transistors 3600V/70A Reverse Conducting IGBT
IXBF50N360

Mfr.#: IXBF50N360

OMO.#: OMO-IXBF50N360-IXYS-CORPORATION

IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
IXBF55N300

Mfr.#: IXBF55N300

OMO.#: OMO-IXBF55N300-122

Bipolar Transistors - BJT High Voltage High Gain BIMOSFET
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
3000
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
99,96 US$
99,96 US$
10
94,96 US$
949,62 US$
100
89,96 US$
8 996,40 US$
500
84,97 US$
42 483,00 US$
1000
79,97 US$
79 968,00 US$
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