STP20NM50

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

250 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

40 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

192 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

9.15 mm

Longitud:

10.4 mm

Serie:

STP20NM50

Tipo de transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

10 S

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

40 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

24 ns

Unidad de peso:

0.079014 oz

Tags

STP20NM5, STP20NM, STP20N, STP20, STP2, STP