BGA7H1N6E6327XTSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Amplificador de RF

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSNP-6

Escribe:

LNA para LTE

Tecnología:

SiGe

Frecuencia de operación:

2300 MHz to 2690 MHz

P1dB - Punto de compresión:

- 1 dBm

Ganar:

12.5 dB

Voltaje de suministro operativo:

3.3 V

NF - Figura de ruido:

0.6 dB

OIP3 - Intercepción de tercer orden:

6 dBm

Corriente de suministro de funcionamiento:

4.7 mA

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 85 C

Embalaje:

Carrete

Marca:

Infineon Technologies

Pérdida de retorno de entrada:

11 dB

Aislamiento dB:

21 dB

Pd - Disipación de energía:

60 mW

Tipo de producto:

Amplificador de RF

Cantidad de paquete de fábrica:

15000

Subcategoría:

Circuitos integrados inalámbricos y RF

Parte # Alias:

7H1N6 BGA E6327 SP001109130

Unidad de peso:

0.000032 oz

Tags

BGA7H1N6E, BGA7H1N, BGA7H, BGA7, BGA