CSD18502KCS

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

212 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

52 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

259 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

16.51 mm

Longitud:

10.67 mm

Serie:

CSD18502KCS

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.7 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

138 S

Otoño:

9.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

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