ZXMN4A06GTA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

50 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

18.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.9 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.65 mm

Longitud:

6.7 mm

Serie:

ZXMN4A

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3.7 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

8.7 S

Otoño:

7.35 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.45 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28.61 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.55 ns

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

ZXMN4A06G, ZXMN4, ZXMN, ZXM