MRF085HR3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N dual

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

210 mA

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 500 mV, 133 V

Ganar:

25.6 dB

Potencia de salida:

85 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

NI-650H-4

Embalaje:

Carrete

Frecuencia de operación:

1.8 MHz to 1215 MHz

Serie:

MRF085H

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

Semiconductores NXP

Número de canales:

2 Channel

Pd - Disipación de energía:

235 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Parte # Alias:

935351494128

Unidad de peso:

0 oz

Tags

MRF0, MRF