SCH1331-TL-W

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

230 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

5.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

2.7 S

Otoño:

50 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

80 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

41 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.8 ns

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

SCH1331, SCH133, SCH13, SCH1, SCH