QH8MA4TCR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSMT-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A, 8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12.3 mOhms, 22 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V, 2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

15.5 nC, 19.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.6 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

4.4 S, 5.5 S

Otoño:

7 ns, 22 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

19 ns, 16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33 ns, 55 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns, 10 ns

Parte # Alias:

QH8MA4

Tags

QH8MA, QH8M, QH8