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NTLJS4159NT1G

NTLJS4159NT1G
Mfr. #:
NTLJS4159NT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 35MOHM
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
NTLJS4159NT1G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NTLJS4159NT1G DatasheetNTLJS4159NT1G Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
EN Semiconductor
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
WDFN-6
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
30 V
Id - Corriente de drenaje continua:
6 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
35 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
8 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
1.92 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Carrete
Altura:
0.75 mm
Longitud:
2 mm
Producto:
Pequeña señal MOSFET
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
2 mm
Marca:
EN Semiconductor
Otoño:
12.4 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
12.4 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
3000
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
26 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
6.8 ns
Tags
NTLJS4, NTLJS, NTLJ, NTL
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Semiconductor
Power MOSFET 30V 7.8 A 35 mOhm Single N-Channel WDFN6
***ser
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 2X2 30V 7.8A 35MOHM
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
NTLJS4159NT1G
DISTI # NTLJS4159NT1G-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 3.6A 6DFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    NTLJS4159NT1G
    DISTI # 863-NTLJS4159NT1G    		ON SemiconductorMOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 35MOHM
    RoHS: Compliant    		0
      NTLJS4159NT1GON SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
      RoHS: Compliant      		3000
      • 1000:$0.1700
      • 500:$0.1800
      • 100:$0.1900
      • 25:$0.2000
      • 1:$0.2100
      Imagen Parte # Descripción
      NTLJS4114NT1G

      Mfr.#: NTLJS4114NT1G

      OMO.#: OMO-NTLJS4114NT1G

      		 MOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm
      NTLJS4149PTBG

      Mfr.#: NTLJS4149PTBG

      OMO.#: OMO-NTLJS4149PTBG

      		 MOSFET PFET 2X2 30V 4.6A 60MO
      NTLJS4149PTAG

      Mfr.#: NTLJS4149PTAG

      OMO.#: OMO-NTLJS4149PTAG

      		 MOSFET PFET 2X2 30V 4.6A TR 60MO
      NTLJS4159NT1G

      Mfr.#: NTLJS4159NT1G

      OMO.#: OMO-NTLJS4159NT1G

      		 MOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 35MOHM
      NTLJS4114NTAG

      Mfr.#: NTLJS4114NTAG

      OMO.#: OMO-NTLJS4114NTAG-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
      NTLJS4149PTAG

      Mfr.#: NTLJS4149PTAG

      OMO.#: OMO-NTLJS4149PTAG-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN
      NTLJS4149PTBG

      Mfr.#: NTLJS4149PTBG

      OMO.#: OMO-NTLJS4149PTBG-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFN
      NTLJS4159NT1G

      Mfr.#: NTLJS4159NT1G

      OMO.#: OMO-NTLJS4159NT1G-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET N-CH 30V 3.6A 6DFN
      NTLJS4159NTAG

      Mfr.#: NTLJS4159NTAG

      OMO.#: OMO-NTLJS4159NTAG-1190

      		 Nuevo y original
      NTLJS4114NT1G-CUT TAPE

      Mfr.#: NTLJS4114NT1G-CUT TAPE

      OMO.#: OMO-NTLJS4114NT1G-CUT-TAPE-1190

      		 Nuevo y original
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      Available
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      4000
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