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IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G
Mfr. #:
IPB136N08N3 G
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 80V 45A D2PAK-2 OptiMOS 3
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IPB136N08N3 G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Infineon Technologies
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
Serie
OptiMOS 3
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
IPB136N08N3GATMA1 SP000447512
Unidad de peso
0.068654 oz
Nombre comercial
OptiMOS
Paquete-Estuche
TO-263-3
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
79 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 175 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
5 ns
Hora de levantarse
35 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
45 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
80 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
13.6 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
18 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
12 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
IPB136N08N3G, IPB136, IPB13, IPB1, IPB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
MOSFET, N CH, 45A, 80V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
*** Electronic Components
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 80V 45A D2PAK-2 OptiMOS 3
***nell
MOSFET, N CH, 45A, 80V, PG-TO263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 45A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.0115ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.8V; Power Dissipation Pd: 79W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max: 45A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vgs Max: 20V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IPB136N08N3 G
DISTI # IPB136N08N3GTR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IPB136N08N3 G
    DISTI # IPB136N08N3GCT-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      IPB136N08N3 G
      DISTI # IPB136N08N3GDKR-ND      		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        IPB136N08N3GATMA1
        DISTI # IPB136N08N3GATMA1        		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin TO-263 Tube - Bulk (Alt: IPB136N08N3GATMA1)
        RoHS: Compliant
        Min Qty: 736
        Container: Bulk        		Americas - 0
        • 736:$0.4889
        • 738:$0.4719
        • 1474:$0.4549
        • 3680:$0.4389
        • 7360:$0.4319
        IPB136N08N3 G
        DISTI # 726-IPB136N08N3G        		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 80V 45A D2PAK-2 OptiMOS 3
        RoHS: Compliant        		0
          IPB136N08N3GATMA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 45A I(D), 80V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
          RoHS: Compliant          		4000
          • 1000:$0.4500
          • 500:$0.4700
          • 100:$0.4900
          • 25:$0.5100
          • 1:$0.5500
          Imagen Parte # Descripción
          IPB136N08N3

          Mfr.#: IPB136N08N3

          OMO.#: OMO-IPB136N08N3-1190

          		 Nuevo y original
          IPB136N08N3G

          Mfr.#: IPB136N08N3G

          OMO.#: OMO-IPB136N08N3G-1190

          		 Nuevo y original
          IPB136N08N3GATMA1

          Mfr.#: IPB136N08N3GATMA1

          OMO.#: OMO-IPB136N08N3GATMA1-1190

          		 Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin TO-263 Tube - Bulk (Alt: IPB136N08N3GATMA1)
          IPB136N08N3GS

          Mfr.#: IPB136N08N3GS

          OMO.#: OMO-IPB136N08N3GS-1190

          		 Nuevo y original
          IPB136N08N3 G

          Mfr.#: IPB136N08N3 G

          OMO.#: OMO-IPB136N08N3-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

          		 IGBT Transistors MOSFET N-Ch 80V 45A D2PAK-2 OptiMOS 3
          Disponibilidad
          Valores:
          Available
          En orden:
          5000
          Ingrese la cantidad:
          El precio actual de IPB136N08N3 G es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
          Precio de referencia (USD)
          Cantidad
          Precio unitario
          Ext. Precio
          1
          0,00 US$
          0,00 US$
          10
          0,00 US$
          0,00 US$
          100
          0,00 US$
          0,00 US$
          500
          0,00 US$
          0,00 US$
          1000
          0,00 US$
          0,00 US$
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