ZXMN2A04DN8TA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

35 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.5 mm

Longitud:

5 mm

Serie:

ZXMN2A

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4 mm

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

30.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.9 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

ZXMN2A0, ZXMN2A, ZXMN2, ZXMN, ZXM